Исследователи из Китая представили первый в мире полноразмерный полупроводниковый кристалл на основе индий-селенида (InSe), который обладает высокими характеристиками, превосходящими кремний. Созданная 2-дюймовая пластина с идеальной кристаллической структурой знаменует начало нового этапа в электронике.
Индий-селенид давно считался многообещающим материалом благодаря своей двумерной структуре и высокой подвижности зарядов. Однако его массовое производство оставалось сложной задачей. Под руководством профессора Лю Кайхуэя была разработана инновационная технология роста кристаллов.
Полученная структура демонстрирует отличные характеристики: подвижность электронов достигает 287 см²/В·с, а также минимальные утечки и энергоэффективность, превышающая прогнозы на 2037 год. Это открывает новые горизонты для применения в энергоэффективных устройствах.
Методика, использованная для создания InSe, может быть адаптирована для других нестабильных полупроводников, что расширяет возможности высоких технологий. Индий-селенид совместим с существующими производственными процессами, что упрощает его внедрение в промышленность.